芯片范文10篇

我們經常聽說某某芯片采用什么什么的封裝方式，在我們的電腦中，存在著各種各樣不同處理芯片，那么，它們又是采用何種封裝形式呢?并且這些封裝形式又有什么樣的技術特點以及優越性呢?在本文中，作者將為你介紹幾個芯片封裝形式的特點和優點。

一、DIP雙列直插式封裝

DIP是指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，絕大多數中小規模集成電路(IC)均采用這種封裝形式，其引腳數一般不超過100個。采用DIP封裝的CPU芯片有兩排引腳，需要插入到具有DIP結構的芯片插座上。當然，也可以直接插在有相同焊孔數和幾何排列的電路板上進行焊接。DIP封裝的芯片在從芯片插座上插拔時應特別小心，以免損壞引腳。

DIP封裝具有以下特點：(1)適合在PCB(印刷電路板)上穿孔焊接，操作方便。(2)芯片面積與封裝面積之間的比值較大，故體積也較大。Intel系列CPU中8088就采用這種封裝形式，緩存和早期的內存芯片也是這種封裝形式。

二、QFP塑料方型扁平式封裝和PFP塑料扁平組件式封裝

QFP封裝的芯片引腳之間距離很小，管腳很細，一般大規模或超大型集成電路都采用這種封裝形式，其引腳數一般在100個以上。用這種形式封裝的芯片必須采用SMD將芯片與主板焊接起來。采用SMD安裝的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有設計好的相應管腳的焊點。將芯片各腳對準相應的焊點，即可實現與主板的焊接。用這種方法焊上去的芯片，如果不用專用工具是很難拆卸下來的。PFP方式封裝的芯片與QFP方式基本相同。唯一的區別是QFP一般為正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是長方形。

[摘要]封裝技術就是將內存芯片包裹起來，以避免芯片與外界接觸，防止外界對芯片的損害的一種工藝技術。空氣中的雜質和不良氣體，乃至水蒸氣都會腐蝕芯片上的精密電路，進而造成電學性能下降。不同的封裝技術在制造工序和工藝方面差異很大，封裝后對內存芯片自身性能的發揮也起到至關重要的作用。

[關鍵詞]芯片封裝技術技術特點

我們經常聽說某某芯片采用什么什么的封裝方式，在我們的電腦中，存在著各種各樣不同處理芯片，那么，它們又是采用何種封裝形式呢?并且這些封裝形式又有什么樣的技術特點以及優越性呢?在本文中，作者將為你介紹幾個芯片封裝形式的特點和優點。

一、DIP雙列直插式封裝

DIP是指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，絕大多數中小規模集成電路(IC)均采用這種封裝形式，其引腳數一般不超過100個。采用DIP封裝的CPU芯片有兩排引腳，需要插入到具有DIP結構的芯片插座上。當然，也可以直接插在有相同焊孔數和幾何排列的電路板上進行焊接。DIP封裝的芯片在從芯片插座上插拔時應特別小心，以免損壞引腳。

DIP封裝具有以下特點：(1)適合在PCB(印刷電路板)上穿孔焊接，操作方便。(2)芯片面積與封裝面積之間的比值較大，故體積也較大。Intel系列CPU中8088就采用這種封裝形式，緩存和早期的內存芯片也是這種封裝形式。

摘要：當前多個全球衛星導航系統（GNSS）信號的頻率及體制不同，傳統的基于超外差或低中頻架構的無線接收機需要在模擬域通過復雜的模擬電路進行下變頻、濾波、放大、模數轉換等信號處理，且需要多個模擬通道來處理多模信號，這給多模導航一體化SoC芯片的設計帶來了極大的挑戰。針對上述情況，文中基于模擬最小化、數字最大化的思想，通過芯片內部集成高增益射頻放大器、低功耗的高速模數轉換器、低抖動的時鐘鎖相環以及數字信號處理的基帶處理及CPU電路，創新性地提出一種基于軟件無線電架構的多模導航SoC芯片。然后，進行55nmCMOS工藝電路設計、版圖設計、仿真及硅流片驗證。測試結果表明，文中的SoC芯片具備多模導航功能，定位精度可達到2.5m，授時精度為55.9ns，測速精度為0.06m/s，功耗為81mW，芯片面積大小為6230μm×4480μm。所提出的多模導航SoC芯片與市場主流產品性能相當，可滿足導航系統需求。

關鍵詞：SoC芯片；多模導航；軟件無線電架構；GNSS；無線接收機；信號處理；仿真驗證

隨著集成電路技術的快速發展，導航系統終端經歷了從第一代的分立器件及模塊為主的多芯片設計到第二代的導航射頻前端芯片和數字基帶處理芯片為主的兩片系統設計，目前已經演變成第三代基于導航SoC芯片的單芯片系統設計[1?4]。單芯片導航SoC芯片內部集成了導航射頻前端模擬電路模塊、大規模的數字基帶處理以及CPU處理器模塊。目前，大多數單芯片導航SoC芯片是基于超外差或低中頻的無線接收機架構，通過在模擬域進行混頻將接收的射頻導航信號轉換成中頻信號；然后經過中頻濾波放大，進而通過模/數轉換器ADC將模擬中頻信號轉換成對應的數字信號；從而進入基帶處理電路及CPU在數字域進行數字信號處理，得到期望的導航電文信息[5?7]。然而這種基于模擬域混頻完成頻率變換的導航SoC在期望滿足多模導航信號的接收時，往往需要多個模擬通道來完成不同模式的導航信號模擬與轉換，非常不利于在單片集成。本文基于模擬電路最小化、數字電路最大化的設計思想，創新性地提出了一種基于軟件無線電架構的多模導航SoC芯片架構，通過低功耗高速模數轉換器直接對導航信號進行射頻采樣量化轉換，在數字域完成頻率變換及信號處理。數字電路隨著集成電路工藝的進步，面積和功耗可以不斷降低，由于內部集成了寬帶的射頻放大器和高速ADC，可以對不同模式的導航信號全部進行采樣量化轉換，實現了單個模擬通道完成多模導航信號的處理，從而實現了系統終端的最優化設計。

1電路設計

1.1多模導航

SoC芯片的系統架構設計如圖1所示，本文設計的高性能多模系統導航SoC芯片內部集成高增益射頻放大器、低功耗高速ADC、鎖相環、數字下變頻、大規模的相關器、16個跟蹤環路、AMBA總線和外設等。外圍只需要搭載天線連接低噪聲放大器（LNA）、聲表射頻濾波器（SAW）、時鐘和電源，即可構成多模導航系統終端，實現實時位置及時間信息的獲取[8]。圖1多模導航SoC芯片的系統架構

[摘要]封裝技術就是將內存芯片包裹起來，以避免芯片與外界接觸，防止外界對芯片的損害的一種工藝技術。空氣中的雜質和不良氣體，乃至水蒸氣都會腐蝕芯片上的精密電路，進而造成電學性能下降。不同的封裝技術在制造工序和工藝方面差異很大，封裝后對內存芯片自身性能的發揮也起到至關重要的作用。

[關鍵詞]芯片封裝技術技術特點

我們經常聽說某某芯片采用什么什么的封裝方式，在我們的電腦中，存在著各種各樣不同處理芯片，那么，它們又是采用何種封裝形式呢?并且這些封裝形式又有什么樣的技術特點以及優越性呢?在本文中，作者將為你介紹幾個芯片封裝形式的特點和優點。

一、DIP雙列直插式封裝

DIP是指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，絕大多數中小規模集成電路(IC)均采用這種封裝形式，其引腳數一般不超過100個。采用DIP封裝的CPU芯片有兩排引腳，需要插入到具有DIP結構的芯片插座上。當然，也可以直接插在有相同焊孔數和幾何排列的電路板上進行焊接。DIP封裝的芯片在從芯片插座上插拔時應特別小心，以免損壞引腳。

DIP封裝具有以下特點：(1)適合在PCB(印刷電路板)上穿孔焊接，操作方便。(2)芯片面積與封裝面積之間的比值較大，故體積也較大。Intel系列CPU中8088就采用這種封裝形式，緩存和早期的內存芯片也是這種封裝形式。

內容摘要：本文針對芯片生產活動的特殊經濟現象，以數學模型為基礎，研究芯片廠商的分級生產和動態調整過程，以及約束條件下的利潤最大化問題，并進一步考慮CPU和ChipSet的生產組合模式。試圖初步從生產者理論角度給予分析解釋。

關鍵詞：分級生產質量控制成本控制定價模式生產組合模式

作者簡介：周小康上海財經大學經濟學院00級經濟學（基地班）

信息產業（IT）提供什么樣的產品？簡言之，不外乎硬件（hardware）、軟件（software）和服務（service）[1]。在1970年代末、1980年代初信息產業雛形生成階段，IBM（國際商用機器公司）是最大的硬件提供商、最大的軟件提供商和最大的服務提供商。隨著時間的推移，信息產業開始進化，硬件、軟件和服務的提供商日益專門化，并且各自形成了相對獨立的市場。[2]各種半導體集成電路芯片是主要的硬件產品之一。我們選取目前最知名也是最大的半導體集成電路芯片提供商Intel作為分析對象，展開面向芯片市場的生產者理論的研究。

一、Intel的分級生產過程

Intel生產多種半導體集成電路芯片，面向個人電腦（PC）的兩種主要產品是中央處理器（CPU）和芯片組（ChipSet），兩者是互補品。兩者都擁有完整的產品線，前者采取分級生產，后者不采取分級生產。Intel在生產80486處理器時首次引入分級生產，隨后該生產策略成為行業通行的慣例，也包括Intel最主要的競爭對手AMD。

我們經常聽說某某芯片采用什么什么的封裝方式，在我們的電腦中，存在著各種各樣不同處理芯片，那么，它們又是是采用何種封裝形式呢？并且這些封裝形式又有什么樣的技術特點以及優越性呢？那么就請看看下面的這篇文章，將為你介紹個中芯片封裝形式的特點和優點。

一、DIP雙列直插式封裝

DIP(DualIn－linePackage)是指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，絕大多數中小規模集成電路(IC)均采用這種封裝形式，其引腳數一般不超過100個。采用DIP封裝的CPU芯片有兩排引腳，需要插入到具有DIP結構的芯片插座上。當然，也可以直接插在有相同焊孔數和幾何排列的電路板上進行焊接。DIP封裝的芯片在從芯片插座上插拔時應特別小心，以免損壞引腳。

DIP封裝具有以下特點：

1.適合在PCB(印刷電路板)上穿孔焊接，操作方便。

2.芯片面積與封裝面積之間的比值較大，故體積也較大。

[摘要]封裝技術就是將內存芯片包裹起來，以避免芯片與外界接觸，防止外界對芯片的損害的一種工藝技術。空氣中的雜質和不良氣體，乃至水蒸氣都會腐蝕芯片上的精密電路，進而造成電學性能下降。不同的封裝技術在制造工序和工藝方面差異很大，封裝后對內存芯片自身性能的發揮也起到至關重要的作用。

[關鍵詞]芯片封裝技術技術特點

我們經常聽說某某芯片采用什么什么的封裝方式，在我們的電腦中，存在著各種各樣不同處理芯片，那么，它們又是采用何種封裝形式呢?并且這些封裝形式又有什么樣的技術特點以及優越性呢?在本文中，作者將為你介紹幾個芯片封裝形式的特點和優點。

一、DIP雙列直插式封裝

DIP是指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，絕大多數中小規模集成電路(IC)均采用這種封裝形式，其引腳數一般不超過100個。采用DIP封裝的CPU芯片有兩排引腳，需要插入到具有DIP結構的芯片插座上。當然，也可以直接插在有相同焊孔數和幾何排列的電路板上進行焊接。DIP封裝的芯片在從芯片插座上插拔時應特別小心，以免損壞引腳。

DIP封裝具有以下特點：(1)適合在PCB(印刷電路板)上穿孔焊接，操作方便。(2)芯片面積與封裝面積之間的比值較大，故體積也較大。Intel系列CPU中8088就采用這種封裝形式，緩存和早期的內存芯片也是這種封裝形式。

我們經常聽說某某芯片采用什么什么的封裝方式，在我們的電腦中，存在著各種各樣不同處理芯片，那么，它們又是采用何種封裝形式呢?并且這些封裝形式又有什么樣的技術特點以及優越性呢?在本文中，作者將為你介紹幾個芯片封裝形式的特點和優點。

一、DIP雙列直插式封裝

DIP是指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，絕大多數中小規模集成電路(IC)均采用這種封裝形式，其引腳數一般不超過100個。采用DIP封裝的CPU芯片有兩排引腳，需要插入到具有DIP結構的芯片插座上。當然，也可以直接插在有相同焊孔數和幾何排列的電路板上進行焊接。DIP封裝的芯片在從芯片插座上插拔時應特別小心，以免損壞引腳。

DIP封裝具有以下特點：(1)適合在PCB(印刷電路板)上穿孔焊接，操作方便。(2)芯片面積與封裝面積之間的比值較大，故體積也較大。Intel系列CPU中8088就采用這種封裝形式，緩存和早期的內存芯片也是這種封裝形式。

二、QFP塑料方型扁平式封裝和PFP塑料扁平組件式封裝

QFP封裝的芯片引腳之間距離很小，管腳很細，一般大規模或超大型集成電路都采用這種封裝形式，其引腳數一般在100個以上。用這種形式封裝的芯片必須采用SMD將芯片與主板焊接起來。采用SMD安裝的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有設計好的相應管腳的焊點。將芯片各腳對準相應的焊點，即可實現與主板的焊接。用這種方法焊上去的芯片，如果不用專用工具是很難拆卸下來的。PFP方式封裝的芯片與QFP方式基本相同。唯一的區別是QFP一般為正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是長方形。

1國內外代工廠最新研究動態

目前，國內外有很多代工廠的產品和技術的更新速度極快，讓人們不得不對最新的發展進行全面了解，進而可以與時俱進地進行研究。下文是幾個比較大的代工廠相關技術的最新進展。現在國內外正致力于用標準工藝開發更多的產品，一些業界領袖公司還開發出了可完全用標準CMOS技術生產的微機電系統（Micro-Electro-MechanicalSystem，MEMS）產品。目前，akustica利用CMOS制造設施和MEMS代工廠生產出了基于MEMS的麥克風芯片，該公司可以使用x-fab半導體公司工廠生產0.6μmCMOS晶片。臺積電早在2012年就開始了14nm工藝的研發，并于2015年投入批量生產。使用450mm（18英寸）新晶圓來制造14nm工藝芯片，而不是當時主流的300mm，這是由于更大尺寸的晶圓將有助于降低生產成本。技術的發展總是日新月異，有西班牙媒體報道稱，臺積電計劃于5年后部署2nm技術的工廠，廠址擬定選在中國臺灣新竹。即將落戶在新竹的3nm研發廠房的環評也在近期得以順利通過，一旦環評大會的結論得以確認，3nm晶圓的生產將會很快開展，預計可以順利趕上量產時程。1.1深亞微米CMOS工藝。近幾年來，隨著集成電路生產工藝的不斷發展，CMOS集成電路的特征尺寸也隨著摩爾定律不斷減小。人們通常把特征尺寸－MOS管的柵長在1~0.5µm的集成電路設計技術，稱為亞微米設計[2]，而將0.5~0.1µm的集成電路設計稱為深亞微米設計。中芯國際集成電路新技術研發（上海）有限公司由中芯國際控股，華為、imec，Qualcomm各占一定股比。目前以14nm先進邏輯工藝研發為主。隨著深亞微米工藝的發展，CMOS制造工藝對設計的影響也越來越大。在0.18µm以前都可以忽略的工藝影響，在工藝一步步發展的情形下，制造工藝所帶來的影響變成了芯片設計中不可忽視的因素。中芯國際首席執行官邱慈云表示：“經過15年的努力經營和技術積累，中芯國際成為國內規模最大的集成電路企業，有能力進行14nm技術的量產”。1.2多項目晶圓服務。眾所周知，集成電路在過去50年的迅猛發展中，無論是在電路規模、制造工藝，還是產業結構等方面都發生了重大變革，發展的速度更是可以用驚人來形容。多項目晶圓（MultiProjectWafer，MPW）的實質是將多個相同工藝的集成電路設計放在同一圓片上流片，這樣按面積來分擔流片費用，就可以降低研發成本和風險，從而降低中小集成電路設計企業在搞研發時的門檻，降低因單次實驗流片失敗而造成的資源浪費。由此看來，MPW加工服務可以降低培養人才的成本和進行該領域科研工作的成本，也使得企業在科研持續性以及創新性上有著深遠的意義。

2芯片設計流程

芯片設計絕不是可以一次性完成的簡單工程，一般都需要經過反復的優化和修改才能滿足最終的設計指標，例如芯片的速度、性能等。與一般超大規模數字集成電路采用自頂向下的設計方法不同，用于光接入網的發射和接收核心電路屬于高速模擬集成電路，必須采用全定制的設計方法，而無法使用半定制設計。首先，根據系統總體要求確定系統指標，比如時間延遲、運作速率、電源電壓、動態范圍、誤差范圍、輸出擺幅、功耗等。在對系統各項指標研究分析的基礎上再來確定系統各個部分的功能和電路結構原理。根據各個部分的功能特點來確定所采用的工藝技術，不同需求應選擇合適的工藝，并取得精確的器件模型參數。其次，電路的設計與仿真，借助仿真軟件如Aos，HsPice，smartspice等通用模擬電路仿真器（SimulationProgramWithIntegratedCircuitEmphasis，SPICE）工具，選取合適的器件參數進行仿真，根據仿真的結果對電路性能進行優化[3]。優化完成后就是芯片版圖的設計。版圖設計是在仿真完成后的電路幾何物理實現，版圖設計的好壞直接影響到芯片的最終性能。所以在版圖設計過程中需要進行設計規則檢查、對每個小模塊都要進行檢測，如版圖電路圖對照和寄生參數提取等步驟。在版圖設計基礎上進行電路的后仿真，也就是將提取的版圖寄生參數等值加入電路網表進行仿真，根據仿真結果來修改原電路和版圖的設計，確定后仿真結果達到性能指標后即可生成標準版圖數據。最后，是芯片制造，即將設計好的GDSII格式或CIF格式的標準版圖數據，交付芯片制造商流片。拿到設計好的芯片后需要進行芯片測試，即對流片制造完成的芯片進行品圓或鍵合封裝測試，針對測試結果進行分析，并反饋出現的問題和進行相應的修改和完善。綜合上述步驟，在對光接入網各種接入技術研究的基礎上，結合應用于光接入網中的光發射和接收模塊所需性能，通過對各類集成電路的工藝進行比較，采用全定制的設計方法和混合信號工藝參數，對光接口模塊中的復接器、激光驅動器、前置放大器、限幅放大器和時鐘與數據恢復電路設計進行全面的分析，針對這5種核心電路選擇最佳的芯片設計工藝，在滿足基本功能的前提下，達到系統的最高性價比。

3超高速電路中各種器件的比較

目前用于超高速領域的器件主要有：SiGeHBT，SiBJT，SiCMOS，Si和GaAsHBT。這幾種器件的比較如表1所示。從表1可知，想要制作出高頻特性優良的器件可以使用GaAsHBT技術，因為其擁有相對較寬的線條（3µm）。這一原理和性質SiGeHBT也同時具備，它的高頻性能跟一般的Si器件比起來要好得多，與GaAs技術相比也有著和成熟的Si工藝兼容、較易集成的優點，所以在這一領域有很高的利用價值。目前市場上已經有成熟的產品。相對SiGeHBT而言，GaAsHBT的擊穿電壓比較高，更為適合于功率放大器的制作[4]。技術的不斷革新，也使得工藝日趨成熟，規模化生產GaAs器件的成本不斷下降。相比而言，HBT技術具有閾值較易控制、增益高、驅動能力強等優點，且無需亞微米工藝，因而具有很強的競爭力。

1內部結構及引腳

串行時鐘芯片的內部結構如圖1所示。它包含I/O控制器、移位寄存器、命令及邏輯控制器，表態RAM、實時時鐘、計數器、晶振等部分。

圖2為RTC-4553的引腳圖。CS0為片選腳，低電平選中；WR為讀寫使能口，高為讀，低為寫；L1～L5為工廠出廠調整精度和測試用，使用中懸空；CS1為芯片掉電檢查口，可直接與系統電源連接，芯片測到該口為低時，自動進入低功耗狀態；SCK為時鐘口，SIN為數據輸入口，SOUT為數據輸出口。另外，芯片還有1個時鐘信號輸出口TPOUT，該口可輸出1024Hz或1/10Hz的信號，以供檢測芯片的時鐘精度所用。

2功能及控制

2.1寄存器

RTC-4553共有46×4bit寄存器。這些寄存器分3頁，第1頁共16個，分別為時鐘寄存器和控制寄存器，如表1所列，用來存放秒、分、時、日、月、年、星期和3個特殊寄存器；第2頁、第3頁各有15個，共30個SRAM寄存器，頁面的選擇通過操作控制寄存器3的MS1、MS0位來實現。